• FinFET工艺节点 7nm 10nm 16nm 28nm

    FinFET工艺节点 7nm 10nm 16nm 28nm

    FinFET(FiniteField-EffectTransistor)是一种新型的晶体管技术,它可以在小尺寸下实现高性能的数字电路。随着纳米技术的不断发展,FinFET工艺节点也在不断更新换代。本文...

    2024-03-27 09:52:20642
  • 蔡司500扫描电镜

    蔡司500扫描电镜

    纳瑞科技的服务将为IC芯片设计工程师、IC制造工程师缩短设计、制造时间,增加产品成品率。我们将为研究人员提供截面分析,二次电子像,以及透射电镜样品制备。我们同时还为聚焦离子束系统的应用客户提供维修、系...

    2024-03-27 09:50:15483
  • 重离子效果

    重离子效果

    纳瑞科技的服务将为IC芯片设计工程师、IC制造工程师缩短设计、制造时间,增加产品成品率。我们将为研究人员提供截面分析,二次电子像,以及透射电镜样品制备。我们同时还为聚焦离子束系统的应用客户提供维修、系...

    2024-03-27 09:48:15380
  • 纳米压痕原理

    纳米压痕原理

    纳米压痕原理是一种利用纳米技术制造高压痕的方法,它可以在不同材质的表面上形成各种形状的凹坑,具有非常重要的应用价值。本文将介绍纳米压痕的原理、方法、优缺点以及应用前景等方面的内容。一、纳米压痕原理纳米...

    2024-03-27 09:46:19418
  • 聚焦离子束扫描电子显微镜操作流程图

    聚焦离子束扫描电子显微镜操作流程图

    fib芯片提供维修、系统安装、技术升级换代、系统耗材,以及应用开发和培训。离子束扫描电子显微镜(IonBeamScanningElectronMicroscopy,简称IBEM)是一种先进的电子显微镜...

    2024-03-27 09:44:17273
  • ab测试流程

    ab测试流程

    纳瑞科技(北京)有限公司(IonBeamTechnologyCo.,Ltd.)成立于2006年,是由在聚焦离子束(扫描离子显微镜)应用技术领域有着多年经验的技术骨干创立而成。AB测试是一种常见的测试方...

    2024-03-27 09:42:18559
  • 离子注入的优势

    离子注入的优势

    离子注入技术是一种将离子或分子注入到固体或半导体晶体中的方法,具有广泛的应用前景。在离子注入技术中,离子或分子被注入到晶体的缺陷区域或表面缺陷处,从而改变晶体的电学性质或半导体性质。离子注入技术具有以...

    2024-03-27 09:40:13379
  • 重离子原理

    重离子原理

    纳瑞科技(北京)有限公司(IonBeamTechnologyCo.,Ltd.)成立于2006年,是由在聚焦离子束(扫描离子显微镜)应用技术领域有着多年经验的技术骨干创立而成。重离子原理是指利用重离子对...

    2024-03-27 09:38:09379
  • 离子束效果不理想

    离子束效果不理想

    fib芯片提供维修、系统安装、技术升级换代、系统耗材,以及应用开发和培训。离子束效果不理想:挑战与解决方案离子束处理技术作为一种高能束处理方法,具有广泛的应用前景。长期以来,离子束处理技术在实际应用中...

    2024-03-27 09:36:19303
  • 聚焦离子束仿真实验选用的沉积物质是

    聚焦离子束仿真实验选用的沉积物质是

    纳瑞科技(北京)有限公司(IonBeamTechnologyCo.,Ltd.)成立于2006年,是由在聚焦离子束(扫描离子显微镜)应用技术领域有着多年经验的技术骨干创立而成。离子束仿真实验是一种研究材...

    2024-03-27 09:34:21370